精美亚洲av丝袜中文,宅男视频在线观看免费,精品一区二区三区亚洲A∨

MEMS熱式氣體流量傳感器設(shè)計

在工業(yè)生產(chǎn)過程中提供準確的流量檢測信息對于系統(tǒng)性能的提升有著重要的作用，基于MEMS技術(shù)制造出的熱式流量傳感器通過采集溫差變化來反映管道內(nèi)流量變化，具有體積小、精度高、微流量段靈敏的特點。介紹了熱式流量傳感器的熱分布模型，利用COMSOL Multiphysics軟件對管道內(nèi)的流量傳感器進行電場、流場和熱場的耦合仿真，確定傳感器芯片的關(guān)鍵參數(shù)。采用MEMS加工工藝制造流量傳感器芯片，搭建標定測試平臺，對傳感器芯片進行封裝測試。傳感器測量范圍達到300 SLM，數(shù)字輸出準確度等級達到1.0，模擬輸出準確度等級達到1.5。

發(fā)表于：10/28/2025

等離子鍍膜用射頻電源功率計算與控制系統(tǒng)研究

當前的等離子磁控濺射鍍膜領(lǐng)域廣泛使用的射頻電源存在功率控制精度不足，功率可調(diào)范圍有限，以及因功率計算不準確導(dǎo)致輸出功率波動較大和誤差顯著等問題。為此，基于數(shù)字下變頻技術(shù)生成射頻信號源，提出了一種等離子體鍍膜用射頻電源功率計算與控制系統(tǒng)，通過VI Sensor上耦合的傳輸線上的信息直接計算出射頻電源的輸出功率，并利用控制器調(diào)節(jié)信號源幅值，從而實現(xiàn)對輸出功率的精確調(diào)節(jié)。仿真驗證該方法能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準確的功率計算及高精度的功率調(diào)節(jié)。通過實際樣機測試，該方案被證實能夠顯著降低輸出功率誤差，并提高鍍膜樣品上的成膜質(zhì)量，為等離子磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。

發(fā)表于：10/28/2025

基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊設(shè)計

上下變頻模塊是微波電路中的關(guān)鍵部分，其性能的好壞將直接影響整個系統(tǒng)的性能。設(shè)計了一種基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊。通過對整機主要指標的分析與計算，下變頻采用一次變頻方案，上變頻采用兩次變頻方案。在滿足鏡頻抑制度要求的情況下，利用一個固定本振頻率進行多次變頻的方式，使上變頻具有較高的本振隔離度。測試結(jié)果表明，下變頻的鏡頻抑制度為29 dBc，發(fā)射端口的本振抑制度為71 dBc。模塊指標符合性較好，滿足使用要求，對研制該類型的上下變頻組件具有一定的參考價值。

發(fā)表于：10/28/2025

一種能夠混合噪聲的模擬高頻腔的設(shè)計及實現(xiàn)

同步輻射加速器高頻系統(tǒng)的集成與調(diào)試離不開高頻腔，但其造價昂貴，加工周期長，使用實際高頻腔測試低電平控制器（LLRF）有損壞腔體的風(fēng)險；此外，實際高頻腔的中心頻率是固定的，只能測試工作在對應(yīng)頻率的低電平控制器。為了解決上述問題，設(shè)計了一種中心頻率能夠跟隨低電平，同時可以混合白噪聲的模擬高頻腔裝置，用來測試低電平控制器的各項性能。詳細闡述了模擬高頻腔的設(shè)計思路與實現(xiàn)方法，并使用所設(shè)計的模擬高頻腔與LLRF鏈接、測試，證明了該模擬高頻腔可以測試工作在不同頻率下的LLRF，測試其幅相穩(wěn)定性及其閉環(huán)控制能力。所設(shè)計的模擬高頻腔對高頻系統(tǒng)的集成、調(diào)試具有巨大的現(xiàn)實意義，能夠大大提高低電平控制器的測試效率，同時也能有效避免為測試LLRF導(dǎo)致實際高頻腔受損的風(fēng)險。

發(fā)表于：10/28/2025

基于SM2的SoC安全芯片雙向身份鑒別技術(shù)研究

片上系統(tǒng) （System on Chip， SoC）芯片會針對產(chǎn)品固件進行SM2簽名和驗簽，以確定產(chǎn)品固件的合法性，但現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)品固件未對芯片進行身份鑒別，由于無法確定芯片是否合法，產(chǎn)品固件和數(shù)據(jù)的安全性得不到保護。基于SM2算法，針對SoC安全芯片中產(chǎn)品固件導(dǎo)入過程，實現(xiàn)了基于國產(chǎn)密碼SM2算法的芯片鑒別固件、固件鑒別芯片的雙向身份鑒別技術(shù)。方案安全性高、可實現(xiàn)性強，對SoC安全芯片對引導(dǎo)程序、產(chǎn)品固件進行雙向身份鑒別有普遍現(xiàn)實借鑒意義。所設(shè)計的SM2模塊，具有芯片面積小、電路設(shè)計難度小、CPU操作簡單、適用于嵌入式SoC安全芯片等優(yōu)點。

發(fā)表于：10/28/2025

一種基于電流比較的LDO折返式限流保護電路

針對低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）可能出現(xiàn)的過載、短路問題，基于180 nm BCD工藝，設(shè)計了一種基于電流比較的折返式限流保護電路。通過添加監(jiān)測信號，有效避免了折返式限流電路中容易出現(xiàn)的“閂鎖”問題。仿真結(jié)果表明，在達到過流限時，輸出電流減小至200 mA，輸出電壓減小約400 mV后開始折返，LDO的輸出電流和輸出電壓均下降。結(jié)果表明，該電路在完成限流保護功能的同時大大降低了系統(tǒng)過流狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。

發(fā)表于：10/28/2025

一種寬輸入低紋波電荷泵負壓電源芯片設(shè)計

為解決電感型電源芯片電磁干擾嚴重和電容型電源芯片輸出紋波過大的問題，設(shè)計了一種電容型電源芯片。該芯片采用無電感結(jié)構(gòu)，在高頻條件下輸出紋波低于1 mV，接近電感型電源芯片。芯片輸出電壓可在-16 V至-3 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，工作頻率可在90 kHz到1 MHz間改變。該電路基于250 nm工藝設(shè)計實現(xiàn)。仿真結(jié)果表明，在輸入電壓為16 V、輸出電流為100 mA、工作頻率為1 MHz的條件下，輸出紋波為0.6 mV，輸出電壓為-14.84 V，效率達到87.1%；當工作頻率降至90 kHz時，輸出紋波為10 mV，輸出電壓為-14.83 V，效率提升至91.9%。仿真數(shù)據(jù)表明，該芯片具有良好的適應(yīng)性，可滿足多種應(yīng)用場景的需求。

發(fā)表于：10/28/2025

佳能半導(dǎo)體設(shè)備銷量受挫光刻機直砍14臺

發(fā)表于：10/28/2025

SK海力士持續(xù)加強HBM產(chǎn)能建設(shè)

10月28日消息，據(jù)韓國媒體TheElec報道，韓國存儲芯片大廠SK海力士已經(jīng)在新晶圓廠M15X中安裝首批設(shè)備，比原定計劃提前了兩個月。

發(fā)表于：10/28/2025

臺積電：供應(yīng)商目前有足夠的稀土庫存！

據(jù)臺媒DigiTimes近日報道，隨著中國大陸持續(xù)加碼的稀土出口管制政策，晶圓代工龍頭大廠臺積電可能將會是稀土供應(yīng)鏈中斷的最大“受影響者”之一，但該公司似乎對其供應(yīng)商現(xiàn)有庫存充滿信心。

發(fā)表于：10/28/2025

聯(lián)電掀起成熟制程價格戰(zhàn)

10月27日消息，據(jù)中國臺灣媒體報道，隨著中國大陸與東南亞的成熟制程晶圓廠積極擴產(chǎn)，中國臺灣兩大成熟制程代工廠聯(lián)電與世界先進在2026年報價談判中面臨較大的降價壓力。對此，聯(lián)電已正式要求上游供應(yīng)鏈自2026年起至少提出15%的降價方案，借此提前應(yīng)對成本上升與對客戶降價的的雙重風(fēng)險。

發(fā)表于：10/28/2025

我國人造太陽關(guān)鍵核心材料實現(xiàn)國產(chǎn)工業(yè)化制備

10月28日消息，今日，中國科學(xué)院金屬研究所發(fā)文稱，第二代高溫超導(dǎo)帶材用金屬基帶國產(chǎn)化取得突破。據(jù)了解，該研究所戎利建研究員團隊利用自主研發(fā)的純凈化制備技術(shù)，突破了可控核聚變用第二代高溫超導(dǎo)帶材用金屬基帶技術(shù)瓶頸，成功實現(xiàn)了高純凈噸級哈氏合金（C276）金屬基帶的工業(yè)化制備。

發(fā)表于：10/28/2025

首批NVIDIA DGX Spark已正式落地中國市場

作為 NVIDIA Compute（GPU）、Networking（網(wǎng)絡(luò)）的雙 Elite精英級合作伙伴，超擎數(shù)智率先完成全國首批 NVIDIA DGX Spark的到貨與交付，較行業(yè)普遍預(yù)期交付時間大幅提前，凸顯了公司在 AI領(lǐng)域的市場前瞻性與強大供應(yīng)鏈效能。

發(fā)表于：10/27/2025

仿生手成機器人最大難題 5萬億美元市場待解鎖

10 月 27 日消息，人類最復(fù)雜的生物機械 —— 手，至今仍是機器人領(lǐng)域最具挑戰(zhàn)性的未解難題。如果工程師能夠攻克這一難關(guān)，如今在實驗室中逐漸成形的機器人，或許很快就會成為未來工廠車間里的尋常景象。

發(fā)表于：10/27/2025

我國首個EUV光刻膠標準擬立項

國家標準委網(wǎng)站顯示，我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項標準，10月23日開始公示，截止時間為11月22日。標準的起草單位包括上海大學(xué)、張江國家實驗室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司。

發(fā)表于：10/27/2025